安森美半導(dǎo)體寬帶隙碳化硅 (SiC) 器件采用全新技術(shù)，與硅器件相比，可提供出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。該器件可實(shí)現(xiàn)如下系統(tǒng)優(yōu)勢：提高系統(tǒng)效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI、減小系統(tǒng)尺寸并降低成本。安森美半導(dǎo)體的碳化硅產(chǎn)品系列包括650V和1200V二極管、650V和1200V IGBT以及碳化硅二極管功率集成模塊 (PIM)、1200V MOSFET和碳化硅MOSFET驅(qū)動器以及符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的器件。