- 服務(wù)熱線：+86-0755-28411876
English
新聞資訊
NewsInformation
聯(lián)系我們IXYS 超結(jié)MOSFET
2019-07-11
IXYS 850V超結(jié)X級HiPerFET? MOSFET
IXYS 850V 超結(jié) X 級 HiPerFET? MOSFET 是增強模式雪崩額定快速內(nèi)在二極管。這些 MOSFET 采用高功率密度和低封裝電感設(shè)計，具有低導通電阻 RDS(ON) 和低 QG 值。X 級 MOSFET 可采用國際標準封裝。典型應(yīng)用是開關(guān)模式和諧振模式電源、機器人和伺服控制以及其他類似應(yīng)用。
Features
- Ultra low on-resistance RDS(ON) and gate charge Qgs
- Avalanche-rated
- Low package inductance
- High power density
- High efficiency
- Fast body diode
- International standard packages
- dv/dt ruggedness
- Easy to mount
- Space savings
應(yīng)用
- Industrial switch-mode and resonant-mode power supplies
- DC-DC converters
- Electric vehicle battery chargers
- Power Factor Correction (PFC) circuits
- AC and DC motor drives
- Renewable energy inverters
- Robotics and servo controls
IXYS X3級HiPerFET? 150V至300V功率MOSFET
IXYS X3級HiPerFET? 150V至300V功率MOSFET是采用N溝道增強模式的耐雪崩快速體二極管。這些MOSFET具有低RDS(ON)、低柵極電荷 (QG) 和高功率密度。IXYS X3級HiPerFET? 150V至300V功率MOSFET可在高速開關(guān)期間消除剩余能量，避免器件發(fā)生故障。典型應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電源、機器人、伺服控制以及輕型電動汽車用電池充電器。
Features
- 高功率密度
- 易于安裝
- 低RDS(ON)和QG
- 溫度范圍：-55°C至150°C
- 20Vgs和2.5Vgs(th)
- 出色的雪崩耐受能力
- 高dv/dt穩(wěn)健性
- Si技術(shù)
- 低電感封裝
- 快速軟恢復體二極管
- 國際標準封裝
應(yīng)用
- 輕型電動汽車用電池充電器
- 開關(guān)中的同步整流
- 電源
- 電機控制
- 直流-直流轉(zhuǎn)換器
- 不間斷電源
- 電動叉車
- D類音頻放大器
- 電信系統(tǒng)
- 機器人和伺服控制
IXYS X4級HiPerFET? 100V至150V功率MOSFET
IXYS X4級HiPerFET? 100V至150V功率MOSFET采用電荷補償原理和專有工藝技術(shù)。得益于該技術(shù)，這些功率MOSFET具有極低的電阻RDS(on)和柵極電荷Qg。低導通電阻可降低導通損耗；另外還可降低輸出電容中存儲的能量，從而最大限度地降低開關(guān)損耗。由于柵極電荷低，因此可在輕負載時實現(xiàn)更高的效率并且柵極驅(qū)動要求更低。這些MOSFET還可耐雪崩，并具有出色的dv/dt性能。這些MOSFET的導通電阻具有正溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作，以滿足更高的電流要求。
深圳得圣科技有限公司
服務(wù)熱線：0755-28411876 QQ： 1975887373
公司地址：深圳市龍崗區(qū)橫崗街道力嘉路103號A棟407
版權(quán)所有@ 深圳得圣科技有限公司
粵ICP備19076582號
友情鏈接： 深圳得圣科技有限公司
zora.tulip